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卤素检漏仪可以提供电子
输出功率大大下降。太阳电池会由于阴影遮挡等造成不均匀照射。
1本征半导体
最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子卤素检漏仪，物质的导电性能决定于原子结构。导体一般为低价元素。外电场的作用下产生定向移动，形成电流。高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如橡胶）最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子CENTER-358红外线测温仪，所以导电性极差，成为绝缘体。常用的半导体材料硅（Si和锗（Ge均为四价元素，最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么紧卤素检漏仪，因而其导电性介于二者之间。
即为本征半导体。晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体。相邻的原子 形成共价键。由于杂质原子的最外层有五个价电子卤素检漏仪特别的设计需求，所以除了与其周围硅原子形成共价键外，还多出一个电子。多出的电子不受共价键的束缚，成为自由电子。N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。
就形成了P型半导体。P型半导体：纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）使之取代晶格中硅原子的位置。
扣除反射后卤素检漏仪，当一束光谱辐照度为I0光正交入射到半导体表面上时。进入半导体的光谱辐照度为I01-R半导体内离前表面距离为x处的光谱辐照度Ix由吸收定律决定：
可以得到关于透射率更完整的近似表达式。当薄片厚度为d时。
单晶硅、砷化镓和一些重要太阳能电池材料的吸收系数与波长的关系如图所示。太阳能电池等效电路、输出功率和填充因数
⑴ 等效电路
往往将电池及负载系统用一个等效电路来模拟。为了描述电池的工作状态。
一个处于工作状态的太阳电池CENTER-352红外线测温仪，1.恒流源:恒定光照下。其光电流不随工作状态而变化，等效电路中可把它看做是恒流源。
又正向偏置于PN结，2.暗电流Ibk:光电流一部分流经负载RL负载两端建立起端电压U反过来卤素检漏仪。引起一股与光电流方向相反的暗电流Ibk
一个理想的PN同质结太阳能电池的等效电路就被绘制成如图所示。3.这样。
以及材料本身具有一定的电阻率，4.串联电阻RS:由于前面和背面的电极接触。基区和顶层都不可避免地要引入附加电阻。流经负载的电流经过它时，必然引起损耗。等效电路中，可将它总效果用一个串联电阻RS来表示。⑵ 影响效率的因素
提高太阳能电池效率卤素检漏仪的计量设备供电，综上所述。必须提高开路电压Uoc短路电流ISC和填充因子FF这三个基本参量。而这3个参量之间往往是互相牵制的如果单方面提高其中一个，可能会因此而降低另一个，以至于总效率不仅没提高反而有所下降。因而在选择材料、设计工艺时必须全盘考虑卤素检漏仪，力求使3个参量的乘积最大。
1.材料能带宽度:
但另一方面，开路电压UOC随能带宽度Eg增大而增大。短路电流密度随能带宽度Eg增大而减小。结果可期望在某一个确定的Eg处出现太阳电池效率的峰值。用Eg值介于1.21.6eV材料做成太阳电池，可望达到最高效率。薄膜电池用直接带隙半导体更为可取，因为它能在表面附近吸收光子。6.表面复合速率:
经常假设为无穷大。一种称为背电场（BSF电池设计为卤素检漏仪，低的表面复合速率有助于提高Isc前表面的复合速率测量起来很困难。沉积金属接触前，电池的背面先扩散一层P+附加层。
7.串联电阻和金属栅线:
而金属栅线不能透过阳光，串联电阻来源于引线、金属接触栅或电池体电阻。为了使Isc最大卤素检漏仪检测方法，金属栅线占有的面积应最小。一般使金属栅线做成又密又细的形状，可以减少串联电阻，同时增大电池透光面积。
8.采用绒面电池设计和选择优质减反射膜:
对光进行多次反射，依靠表面金字塔形的方锥结构。不仅减少了反射损失，而且改变了光在硅中的前进方向并延长了光程卤素检漏仪，增加了光生载流子产量；曲折的绒面又增加了PN结的面积，从而增加对光生载流子的收集率，使短路电流增加5%10%并改善电池的红光响应。