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卤素检漏仪驱动器的设计方案
开关管Q导通时D1导通，副边线圈N2向负载供电，D4截止，自馈电线圈Nf电流为零；Q关断时D1截止卤素检漏仪，D4导通，Nf经电容C1滤波后向UC3843供电，同时原边线圈N1上产生的感应电动势使D3导通，并加在RC上。由于变压器中的磁场能量可通过Nf泄放卤素检漏仪的真实性，而不像一般的RCD磁通复位电路消耗在电阻上，这可减少发热，提高效率。实用的单端正激型开关稳压电源必须加磁通复位电路,以泄放励磁电路的能量。如图1所示。
就是将畸变电流校正为正弦电流，功率因数校正。并使之与电压同相位，从而使功率因数接近于1提高功率因数对于降低能源消耗，减小电源设备的体积和重量，缩小导线截面积卤素检漏仪，减弱电源设备对外辐射和传导干扰都具有重大意义。故而有功率因数校正的LED驱动器越来越受欢迎。本文将以安森美半导体的两款单段隔离功率因数校正LED驱动器NCP1652A 及NCL30001为例，介绍高能效的单段功率因数校正LED驱动器的设计方法及应用方案。
介绍单段隔离功率因数校正LED驱动器的设计方案。单段隔离型功率因数校正LED驱动器解决方案有：基于NCL30000离线型高功率因数Triac可调光LED驱动器；用于高压LED灯串的基于NCP1044升压式转换器的LED单段功率因数校正驱动方案；基于NCL1652A 控制器的降压-升压式反激变换LED驱动器和基于NCL30001和NCS1002区域照明应用恒流LED驱动器等卤素检漏仪。本文主要以NCP1652A 和NCL30001为例。
但设计灵活度有限卤素检漏仪的增值功能，MCPCB和增强散热型印刷电路板具有良好的散热性能。而且如果需要提高散热效能，成本可能很高，原因是需要额外花费散热孔加工费用和昂贵的导热绝缘材料费用。陶瓷基板可以采用导热性不强但价格便宜的陶瓷(如氧化铝陶瓷)也可以采用导热性强但价格十分昂贵的陶瓷(如氮化铝陶瓷)总而言之卤素检漏仪，陶瓷基板的成本高于MCPCB和增强散热型印刷电路板基板。
LED厂商正在测试直接在铝基板上制作电路的方法，为替代上述基板。因为这种方法能提供优良的导热性。由于其优势，LED产业有兴趣采用铝，但在铝基板上制作LED电路需要绝缘层。现在厚膜技术的进展使LED产业能够获得使用铝基板的好处。
大多数LED组装业务中，IA MS技术未来有可能直接将电路印刷在散热片上。目前。均购买封装后的LED然后用低温黏着剂将LED和散热片黏接在MCPCB上。每多一层就会增加一层热阻值卤素检漏仪，最终会有损于亮度和寿命。
解决了额外的散热基板(MCPCB增强散热型电路板、陶瓷等)增高热阻值的问题。LED器件可以直接连接到散热片，近藤充先生说“IA MS技术使客户能够直接将绝缘层印刷在散热片上。提供了最好的散热方法。
延长使用寿命降低发热量。
LED制造商能够以低成本进行设计变更，贺利氏公司的铝基板用材料系统通过减少LED套件的接合处/层数量来降低热阻值。通过采用这种单一配方、多功能的系统。并可进行选择性印刷绝缘层。由于能够使用成本较低的基板(如铝板)因此能够增强传导性和延长LED寿命。
大部分LED都是2英寸蓝宝石衬底上制造的因此卤素检漏仪，通过采用更大的晶圆尺寸改善产率(4英寸和6英寸)所有LED蓝、绿或白光的LED主要部分是以GaN/InGaN/A lGaN材料为基矗到目前为止。近年以来，MOCVD产率的任何进展都是通过增加MOCVD反应炉的载荷量而获得。当前GaN/InGaN/A lGaN生长的最流行MOCVD系统是行星反应炉和近耦合喷淋头式反应炉，分别供给42片2英寸和31片2英寸两种晶圆卤素检漏仪。这些转化成令人难忘的高产率和低拥有成本。然而，这通过转变成较大晶圆尺寸而进一步改善。这个时候，一些主要LED制造商已经开始转入4英寸卤素检漏仪正确判别方向动作，并且大部分其他制造商打算进行同样的转变。由于MOCVD工具已经具备适合大尺寸晶圆生长的能力，这个决定是很容易的
已成为稳压电源的主流产品。为使电源结构简单、紧凑，开关稳压电源与传统的线性稳压电源相比具有体积小、重量轻、效率高等优点。工作可靠、减少成本，小功率开关稳压电源常采用单端反激型或单端正激型电路卤素检漏仪。与单端反激型相比，单端正激型开关电流小、输出纹波小、更容易适应高频化。用电流型PWM控制芯片UC3843构成的单端正激型开关稳压电源的主电路如图1所示。