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提高卤素检漏仪设计精度
主要参数是金属线旁边所示的平均电流密度J平均数据越精确卤素检漏仪，业界常用Black定律预测金属线的平均无故障时间。MTTF估测效果就越好。为了得到最精确的数
据信息，往往需要在设计中使用大量的向量。同时必须测得每根金属线的平均电流，然后除以线的宽度和厚度。这对构造芯片来说显然是不可能做到也无法用
电路仿真实现。
通过改变放大器的反馈量来调整放大器增益卤素检漏仪。只是这种调整量利用Vp-p检波的直流电压经A/D转换由单片机产生数字量控制数字电位器的阻值，②数字电位器稳
幅原理图如图6所示。数字电位器AGC工作原理与FET相似。电路的特点是控制精度高、稳幅性能好，但电路复杂、成本高，并且数字电位器高频特性差。
数模可控增益放大器AGC电路原理方框如图7所示。从框图可见，③ 采用可控增益放大器稳幅。可控增益的放大器选用高频特性好的IC由Vp-p检波后的电压经
A/D单片机和D/A 去控制可控增益放大来稳幅。该稳幅电路最大的特点是高频性能好，调整方便（可设置输出幅度）稳幅精度高卤素检漏仪，但电路复杂。
但以PLL为佳。稳幅电路宜选用高频特性好的可控增益放大器来构成稳幅电路。单片机和A/DD/A 等资源要优化，由上述分析可知：LC振荡器频率产生采用闭环
AFC电压频率合成和闭环PLL频率合成满足题目要求。且充分利用。
受OP放大器开环特性的限制卤素检漏仪的要求，本电路利用了反馈。如果用于高频电路，必须选用在高频时有较大增益的OP放大器。
用于低频时，R1R3决定输入电阻的阻值。R1R3阻值可取150K此电路R1和R2比值只要为11即可，不一定非取15KR3和R4比为21E24系列的电阻只能选用15K和7.5K搭
配作用。如果要选其他阻值，R4可用两个阻值与R3相同的电阻并联。
通常取A=R5/R3=1但也可以使A≥1R5用来确定放大倍数。
要平滑直流卤素检漏仪，电容器C1进行全波整流时起到平滑电容的作用。其容量要与信号频率相适应。如把全波整流平滑，直流输出则为：2|EI|X即0.6361|EI|加大电容
量，整流后的纹波可以减少，但响应也会变慢，应根据使用要求，确定电容量。
电浪涌发生器开路状态负载要大于或等于10kΩ，根据《GBT17626.5-1999中的要求。因此选用TEK公司的P6015A 探头和DPO4104数字示波器校准电浪涌发生器开
路输出电压。
衰减比为10001由高压探头和补偿盒两部分组成，P6015A 一种高压探头。探头、补偿盒和连接导线采用了等电位屏蔽技术卤素检漏仪，具有线性好、抗干扰能力强、性能
稳定等特点。与示波器(阻抗必须设置为1MΩ，P6015A 电路设计要求)配套使用，可以测量交直流电压和脉冲峰值电压。主要技术指标：输入阻抗为100MΩ，阻
抗准确度±2％，输入电容小于或等于3pF直流电压测量最大20kV脉冲电压测量最大40kV带宽75MHz上升时间不大于4.67ns作为标准仪器能满足校准技术要求。
提出了不少的方法。载波SPWM方法中平衡中点电位一般都是调制波中注入适当零序分量。文献[2]中注入三次零序分量来平衡中点电位，国内外学者对三电平逆
变器中点问题作了不少的研究。文献[3]中提出了一种注入零序电压的分析算法。空间矢量方法中平衡中点电位的方法[4]归纳起来主要有以下几种：
小矢量的PN状态进行转换卤素检漏仪，1开环被动控制 每一个新开关周期。这种方法只有在平衡负载的情况下能够较好控制中点电位，其动态调整特性不好；
检测每相电流方向基础之上卤素检漏仪其主要特点，2滞环型控制 目前应用最多的一种闭环控制方法。通过选择小矢量PN状态使中点电位朝不平衡方向的相反方向来选择，这种方法
的缺点就是电流中有1/2开关频率的纹波；
所以中点不会有电流通过卤素检漏仪，由于三相电位相等。因此不会影响中点电位。大矢量，由于中点根本就没有参与能量的传输，因此也不会产生影响。中矢量和小矢
量，中点会参与能量的传输，也即中点电流io不为零，所以都会影响中点电位。图3中点电流灌入和抽出两种工作状态下，中矢量对中点电位的影响；图4中点
电流灌入和抽出两种状态下小矢量P状态对中点电位的影响；图5中点灌入和抽出两种不同状态下N状态对中点电位的影响；图6同一小矢量P状态情况下卤素检漏仪，某相电
流方向确定情况下对中点电位的影响。图中→及←表示中点电流的方向。↑及↓表示中点电位的上升和下降)从图3图4图5可以看出无论是小矢量还是中矢量，
中点电流灌入的时候，中点电位上升，中点电流抽出的时候，中点电位下降。从图6可以看出当某相电流方向确定的时候，小矢量PN状态对中点电位的影响是相
反的这也是为什么可以通过选择小矢量PN状态作用时间调节中点电位平衡的原因。
从而使到达器件的VDD电压有所下降。地线反弹现象与此类似，引起VDD网络上IR压降的原因是晶体管或门的工作电流从VDDI/O引脚流出后要经过电源网格的RC
网络。电流流回VSS引脚时也要经过RC网络卤素检漏仪，从而导致到达器件的VSS电压有所上升。更加精细的设计工艺和下一代设计技术使新的设计在IR压降或地线反弹方
面要承受更大的风险。电源网格上的IR压降主要影响时序，会降低门的驱动能力，增加整个路径的时延。一般情况下，供电电压下降5%会使时延增加15%以上。
时钟缓冲器的时延会由于IR压降增加1倍以上。当时钟偏移范围在100p内时，这样的时延增幅将是非常危险的可以想象一下集中配置的关键路径上发生这种未期
而至的延时会出现什么样的情景，显然，设计的性能或功能将变得不可预测。理想情况下卤素检漏仪可以提供电子，要想提高设计精度，其时序计算必须考虑最坏情况下的IR压降。
由于设计中的金属线会有高度变化卤素检漏仪，因此精确的EMI预测需要正确的电容信息。此外。金属有不同级别的材料属性，因此每个金属层都会有不同的故障标准，所
以确定整个芯片上有潜在EMI问题的所有区域的唯一方法是进行全芯片分析。